12月17-19日，中國半導體行業(yè)協(xié)會半導體分立器件分會主辦的“第七屆全國新型半導體功率器件及應用技術研討會暨2021半導體功率器件技術創(chuàng)新與產業(yè)融合發(fā)展論壇"在重慶隆重召開。活動邀請了半導體行業(yè)企業(yè)、知M高校、科研機構等專家學者齊聚一堂，共話半導體功率器件技術創(chuàng)新前沿話題。

廣電計量作為唯YI一家第三方計量檢測機構受邀參展，現(xiàn)場展示產品全壽命周期檢測與失效分析技術服務方案，廣電計量半導體技術副總監(jiān)李汝冠博士在會上帶來《SiC 功率器件的可靠性測試需求》主題報告。

半導體產業(yè)是支撐經濟社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產業(yè)。當前，世界正經歷百年未有之大變局，以新一代信息技術為代表的新一輪科技革命和產業(yè)變革正蓬勃興起，半導體作為信息基礎的基石，在國民經濟和社會發(fā)展中的地位進一步凸顯，而半導體功率器件作為重要的基礎環(huán)節(jié)，其發(fā)展水平直接決定了產業(yè)的競爭力。

圍繞半導體功率器件的技術創(chuàng)新話題，廣電計量半導體技術副總監(jiān)李汝冠發(fā)表題為《SiC 功率器件的可靠性測試需求》的主題演講。李汝冠介紹，碳化硅（SiC）具有寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率等優(yōu)勢，在“新基建"七大領域及“雙碳"領域起到至關重要的作用，應用前景光明。然而，其可靠性缺乏長期、大規(guī)模應用的歷史數(shù)據(jù)支撐，需要經過大量測試進行驗證。用于驗證Si器件長期穩(wěn)定性的許多方法可以直接應用到SiC上，但是目前SiC的失效機理尚未*掌握，需要嘗試增加各種方式來激發(fā)SiC的失效。對此，李汝冠重點解析了SiC需要額外增加的可靠性試驗，引起現(xiàn)場參會人員的高度關注。

據(jù)介紹，廣電計量已具備完善的半導體芯片與元器件解決方案，是國內極少數(shù)已完成AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q102、AEC-Q104、AEC-Q200完整驗證報告的第三方檢測機構，可為電動汽車、5G通信、軌道交通等領域的IGBT和以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體器件提供可靠性驗證服務，并對產品的設計和工藝改進提供分析和建議。

作為半導體檢測技術服務領域的重要力量，廣電計量已在上海、廣州建立了半導體檢測實驗室，累計投入300多臺套檢測分析設備，由10余名博士、專家組成了高水平技術隊伍，持續(xù)為數(shù)十家半導體行業(yè)知M企業(yè)提供了各類測試、驗證與分析服務，助力半導體產業(yè)鏈質量提升。